原子層刻蝕系統(tǒng) 項(xiàng)目所在采購(gòu)意向： 北京大學(xué)年月政府采購(gòu)意向 采購(gòu)單位： 北京大學(xué) 采購(gòu)項(xiàng)目名稱(chēng)： 原子層刻蝕系統(tǒng) 預(yù)算金額： .萬(wàn)元(人民幣) 采購(gòu)品目： 電子工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備 采購(gòu)需求概況 ： 碳基柵疊層項(xiàng)目是為推動(dòng)碳基芯片的發(fā)展而設(shè)立，針對(duì)碳納米管襯底的半導(dǎo)體器件，由于碳納米管直徑在幾個(gè)納米的范圍，在等離子的轟擊下很容易被破壞，感應(yīng)耦合原子層刻蝕系統(tǒng)憑借低離子損傷，高精度的刻蝕速率控制，最大程度上減小柵介質(zhì)刻蝕過(guò)程對(duì)碳納米管的損傷。利用原子層沉積的模式精確地控制對(duì)介質(zhì)的刻蝕速率，對(duì)氧化鉿、氧化鋁和氧化釔介質(zhì)薄膜的刻蝕速率達(dá)到小于/,實(shí)現(xiàn)對(duì)高柵介質(zhì)的高精度刻蝕,推動(dòng)碳基集成電路的發(fā)展。 預(yù)計(jì)采購(gòu)時(shí)間： - 備注： 本次公開(kāi)的采購(gòu)意向是本單位政府采購(gòu)工作的初步安排，具體采購(gòu)項(xiàng)目情況以相關(guān)采購(gòu)公告和采購(gòu)文件為準(zhǔn)。